삼성전자가 96층 3D 낸드 플래시 메모리의 대량생산에 들어갔습니다. 공식적으로 90층 이상의 3D 낸드인 5세대 3D 낸드 플래시 메모리의 대량양산은 지금보다 훨씬 고밀도의 낸드 플래시 메모리를 가능하게 할 것입니다. 아마도 초기 주력 제품은 256 Gb TLC 메모리가 될 것으로 보이지만, 1Tb QLC 같은 초고용량 다이(die)도 나올 수 있을지 모릅니다. 이런 낸드플래시 메모리 다이를 쌓으면 256GB 이상의 마이크로 SD 카드의 대중화도 가까워질 것으로 생각합니다. 물론 고용량 SSD 역시 마찬가지입니다.
삼성의 5세대 V 낸드는 Toggle DDR 4.0 인터페이스 기반으로 1.4 Gbps로 작동해 전세대의 800Mbps 대비 현저히 빨라졌습니다. 빨라진 속도에 따른 전력 소모 증가는 동작 전압을 1.8V에서 1.2V로 낮춰 해결할 수 있습니다. 읽기 레이턴시는 50μs 쓰기 레이턴시는 500μs로 전세대 대비 역시 감소했습니다. 구체적으로 어떻게 했는지는 알 수 없지만, 각층의 두께를 줄이고 공정을 개선한 것으로 보입니다.
삼성전자는 5세대 V 낸드 통해 낸드플래시 메모리 시장에서 우세를 이어간다는 계획이지만, 중국 정부를 등에 업은 중국 업체의 추격이 점차 거세질 예정입니다. 한동안 공급 부족으로 높은 가격을 유지했던 낸드플래시 메모리 가격도 내년에는 치킨 게임에 들어갈 가능성이 점쳐지고 있습니다. 반도체 시장에서 이를 극복할 유일한 방법은 결국 남보다 앞선 공정과 생산 능력으로 상대를 압도하는 것입니다.
삼성전자는 내년에 90억 달러 규모의 공격적인 투자를 할 계획이고 앞으로 수년간 계속해서 낸드플래시 메모리 분야에서 기술 선두를 지속적으로 유지할 수 있을 것입니다. 다만 3D 낸드 기술 역시 한계가 있고 낸드플래시 메모리 기술 자체가 오래된 방식인 만큼 궁극적인 대안은 낸드플래시를 대신할 고속 비휘발성 메모리를 개발하는 것입니다. 이 부분에 대해서도 상당한 연구를 진행한 것으로 알려져 있는데, 어떤 결과물이 나올지 궁금합니다.
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