(Toshiba's 96-layer 3D flash SSD modules are being made available to system manufacturers now(Credit: Toshiba Memory America))
앞서 웨스턴 디지털이 1.33Tb 96층 3D 낸드 (QLC)를 선보인데 이어 도시바가 역시 BiCS 제품군에 속하는 BiCS4 96-layer 3D TLC를 이용한 M.2 SSD를 선보였습니다. XG6 NVMe SSD는 256,512,1024GB 용량으로 OEM으로 먼저 공급될 예정이며 아직 리테일 제품 가격은 미정입니다. 속도는 순차 읽기와 쓰기 최고 3180MB/s와 2960MB/s로 현재 규격에서 최고 속도에 가깝습니다. 4K 랜덤 읽기와 쓰기 속도도 355k IOPS와 365k IOPS으로 준수합니다.
| Toshiba XG6 Specifications | ||||
| Capacity | 256GB | 512GB | 1024GB | |
| Controller | Toshiba TC58NCP090GSD | |||
| Form Factor | single-sided M.2 2280 | |||
| Interface, Protocol | PCIe 3 x4, NVMe 1.3a | |||
| NAND Flash | Toshiba BiCS4 96-layer 3D TLC | |||
| Sequential Read (128kB, QD64) | up to 3180 MB/s | |||
| Sequential Write (128kB, QD64) | up to 2960 MB/s | |||
| Random Read (4kB, QD64) | up to 355k IOPS | |||
| Random Write (4kB, QD64) | up to 365k IOPS | |||
| Power Consumption | Read | 4.2 W | ||
| Write | 4.7 W | |||
| Idle | 3 mW | |||
| TCG Opal Encryption | Optional | |||
앞서 삼성전자 역시 96층 3D 낸드 양산에 들어갔다고 발표했기 때문에 제품이 나오는 것 역시 그다지 멀지 않은 미래가 될 것으로 보입니다. SD 카드나 스마트폰 용 낸드플래시 메모리 역시 마찬가지로 고밀도의 96층 낸드 플래시가 사용될 것입니다. 당연한 이야기지만, 이제 이슈는 96층 3D 낸드의 적용보다 그 다음 세대의 낸드 플래시 메모리는 몇 층까지 올릴 것인가 하는 문제입니다.
역시 TSV 기술에도 한계는 있게 마련이고 적층한 숫자가 늘어날수록 속도와 발열 등의 이슈에서 자유로울 수 없다는 문제가 있습니다. 현재 기술로 100층 이상으로 올라가는 건 충분히 가능하지만, 1000층 이상 올리는 일은 상당한 기술적 도전이 될 것입니다.
따라서 새로운 돌파구가 필요할텐데 이 문제와 더불어 낸드 플래시 메모리 자체의 한계 때문에 결국 이를 뛰어넘는 차세대 비휘발성 메모리에 대한 관심이 커질 수밖에 없습니다. 다만 차세대 비휘발성 메모리가 널리 사용되기 전까지 중간 단계로 더 밀도가 높고 속도가 빠른 3D 낸드 플래시에 대한 개발 역시 필요할 것입니다.
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