Translate

2018년 1월 24일 수요일

초박막 원자 메모리 atomristor



(Illustration of a voltage-induced memory effect in monolayer nanomaterials, which layer to create "atomristors," the thinnest memory storage device that could lead to faster, smaller and smarter computer chips. Credit: Cockrell School of Engineering, The University of Texas at Austin)


 이미 우리는 막대한 용량의 데이터를 저장 가능한 SSD와 HDD를 지니고 있지만, 데이터가 매일 빠른 속도로 늘어나고 있기 때문에 더 대용량의 데이터 저장 장치를 필요로 하고 있습니다. 현재 사용되는 기술은 당분간 더 발전 가능성이 있지만, 지금같은 데이터 저장 밀도 증가를 계속해서 유지하기란 쉬운 일은 아닙니다. 결국 데이터 기록 방식을 근본적으로 바꿔야 하는 필요성이 커지고 있습니다. 


 텍사스 대학과 베이징 대학의 과학자들은 2D 나노물질 (2-D nanomaterials)을 이용한 데이터 저장 방식을 선보였습니다. 아톰리스터 (atomristor)라고 불리는 이 방식은 두 개의 평면 원자를 이용해 1.5nm 두께의 저장 장치를 만드는 것입니다. 


 연구팀은 한층의 그래핀 소재를 전극으로 사용하고 다른 한층의 황화 몰리브덴 (molybdenum sulfide)을 반도체로 사용해 데이터를 저장하는 데 성공했습니다. (By using metallic atomic sheets (graphene) as electrodes and semiconducting atomic sheets (molybdenum sulfide) as the active layer) 더 나아가 연구팀은 이 얇은 저장 장치를 여러 층으로 쌓아올려 데이터 기록 밀도를 크게 높일 수 있다고 주장하고 있습니다. 


 다만 이것이 가능하려면 빠르게 읽고 쓸 수 있을 뿐 아니라 여러 번 기록이 가능한 내구성을 지녀야 합니다. 그리고 무엇보다 중요한 것은 쉽게 대량 생산이 가능해서 적절한 가격에 판매가 가능해야 한다는 것이죠. 아마도 이 단계까지 접근하려면 상당한 시일이 걸릴 것입니다. 물론 그것이 가능하다는 전제하에서 말이죠. 


 하지만 기록 기술이 발전하면 결국은 원자 한계까지 기록 데이터 크기가 작아질 것이라는 생각은 누구나 할 수 있습니다. 과연 언제쯤 원자 단위 기록 장치가 나오게 될지 궁금합니다. 


 참고 


 Ruijing Ge et al, Atomristor: Nonvolatile Resistance Switching in Atomic Sheets of Transition Metal Dichalcogenides, Nano Letters (2017). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b04342




댓글 없음:

댓글 쓰기