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2018년 7월 28일 토요일

원자 단위의 데이터 저장 기술



(A new atomic-scale solid state memory could exceed the capacity of today's solid-state drives by 1,000 times(Credit: University of Alberta))



 데이터의 양이 급격히 증가하면서 데이터 기록 밀도를 높이기 위한 노력 역시 계속되고 있습니다. 하지만 아무리 데이터 기록 밀도를 높이더라도 물리적 한계는 존재합니다. 결국 어느 순간에 이르면 원자 하나에 단위로 데이터를 저장해야 할 것입니다. 따라서 많은 연구자들이 원자 단의 저장 장치를 개발하기 위해 노력하고 있습니다. 물론 적지않은 어려움이 있고 아직 상용화까지는 많은 길이 남아있지만, 그래도 기술은 꾸준히 발전하고 있습니다. 



 앨바타 대학의 로샨 아칼과 로버트 울코우 교수 (PhD student Roshan Achal and physics professor Robert Wolkow)는 현재 사용되는 하드디스크와 SSD보다 1000배 가량 기록밀도가 높은 원자단위 저장 기술을 네이처 커뮤니케이션스에 발표했습니다. 이들은 scanning tunneling microscope (STM)을 이용해 실리콘 기질 위에 개별적인 수소 원자를 이용해 정보를 기록했습니다.


 물론 이런 기술은 이전에도 공개된 적이 있지만, 이번 연구에서 주목할 만한 부분은 극저온이나 진공 상태가 아닌 상온 환경에서 데이터 저장에 성공했다는 점입니다. 더구나 연구팀에 의하면 이렇게 저장한 데이터의 수명은 500년에 달합니다. 기록 밀도는 평방인치 당  1.1 petabits (138 terabytes)라고 합니다. 



(동영상)

 연구팀은 실제로 192비트 셀을 만들어 여기에 슈퍼 마리오 테마 음악을 기록했습니다. 그리고 쓰고 지울 수 있는 능력을 보여주기 위해 8비트 ASCII 코드로 글자를 입력해 보였습니다. 8비트 정보를 기록하는데 걸린 시간은 10-120초 사이로 실용적인 저장 장치 개발까지는 많은 연구가 필요하지만, 놀라운 성과임에 분명합니다. 과연 언제쯤 실제 원자 단위 저장 장치가 상용화 단계까지 갈지 궁금합니다. 


 참고 



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