(출처: 삼성전자)
삼성전자는 몇 년 전부터 메모리를 로직 칩 위에 적층하거나 로직 칩 위에 다른 로직 칩을 올리는 기술을 연구해왔습니다. 세인트 SAINT (Samsung Advanced Interconnect Technology)라고 불리는 이 기술 플랫폼은 현재 AMD가 CPU에 사용하고 있는 3D V 캐시와 비슷한 구성을 더 넓은 범위에서 구현할 수 있습니다. 예를 들어 캐시 역할을 하는 SRAM 외에 D 램이나 HBM 메모리를 올릴 수 있습니다.
SAINT 플랫폼은 종류에 따라 CPU나 GPU 같은 로직 칩 위에 S램을 올리는 SAINT-S, 로직 위에 다른 로직 칩을 적층하는 SAINT-L, 그리고 D램이나 HBM 메모리를 로직 칩 위에 올리는 SAINT-D로 나눌 수 있습니다.
수년 간의 연구 끝에 SAINT-D는 드디어 올해 말 실제 제품을 내놓을 것으로 보입니다. 다만 구체적으로 어떤 행태의 제품이고 누가 사용할지에 대한 정보는 아직 공개된 것이 없습니다.
HBM 메모리를 직접 프로세서 위에 적층할 경우 현재의 2.5D 패키징에서 필요한 인터포저층이 필요 없어 크기를 줄이고 동시에 레이턴시도 줄일 수 있겠지만, 구현이 쉽지 않고 발열도 많다는 것이 문제입니다.
개인적인 의견이지만, 좀더 쉬운 접근은 모바일 프로세서 위에 LPDDR 메모리를 올리는 것입니다. 크기를 더 줄이고 레이턴시도 줄여 스마트폰에서 좀 더 효과적인 공간배치와 성능 향상, 전력 소모 감소를 기대할 수 있습니다. 다만 아직 공개된 것은 없습니다.
아무튼 삼성전자는 2027년까지 로직 칩을 적층하고 여기에 HBM 메모리까지 통합한 3D 패키징 기술을 개발할 예정입니다. 실제로 어떤 결과물을 보여줄지 궁금합니다.
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