삼성 전자가 보도 자료와 블로그 등을 통해서 20 nm 4 기가 비트 (Giga bit) DDR3 의 양산에 돌입했다고 발표했습니다. 이제 20 nm 공정에 도달한 만큼 앞으로 10 nm 급 메모리 양산이 얼마 남지 않았다는 느낌입니다. 새로운 20 nm DDR3 램은 이전에 발표했던 DDR3 램에 비해서 훨씬 작아서 25 nm DDR3 램과 비교시 30 %, 30 nm DDR3 램과 비교시에는 2 배 만큼 생산성이 높다고 합니다. 물론 미세 공정을 사용하는 만큼 전력 소모도 감소해서 25 nm 대비 전력 소모가 25% 만큼 감소했다고 합니다.
(20 nm 공정 4 Gb DDR3 D 램. source : 삼성 투머로우 )
한가지 주목할 만한 점은 20 nm D 램을 양산하기 위해서 새로운 설비를 도입한 것이 아니라 독자 기술을 이용해서 기존의 설비로 양산하는데 성공했다는 점입니다. 삼성 전자에 의하면 낸드 플래쉬는 셀이 트랜지스터 하나로만 구성되어 구조가 매우 단순하지만 D 램은 셀이 트랜지스터와 캐패시터 적층 구조로 되어 있어 20 nm 미세 공정화가 낸드 플래쉬에 비해 어려웠는데 독자 개발한 ‘개량형 이중 포토 노광 기술’ 을 통해 이를 극복하고 향후 10 nm 급 D 램 양산을 위한 기술적 토대를 마련했다고 합니다.
또 셀 캐패시터의 유전막을 형성하는 물질을 기존의 나노 단위에서 옴스트롱 (1/10 nm) 단위로 초미세 제어하는 '초미세 유전막 형성 기술' 을 통해 균일한 유전막을 만들어 20 nm 에서도 우수한 셀 특성을 확보했다고 하네요. 이런 기술들은 향후 10 nm 급 메모리 양산을 가속화 시키는데 도움이 될 것으로 보입니다.
물론 2014 년에서 2016 년 사이에는 DDR3 에서 DDR4 로의 이동이 일어날 시기이기 때문에 앞으로는 DDR4 양산 소식이 더 자주 들릴지도 모릅니다. 이미 삼성 전자는 20 nm 급 DDR4 메모리 양산에도 돌입한 상태이지만 아직은 그 사용처가 많지는 않습니다. ( http://blog.naver.com/jjy0501/100195145933 참조)
그러나 2014 년 하반기 부터 DDR4 메모리의 도입이 본격화 될 것으로 보이며 저전력과 속도 등의 이점을 생각할 때 급속히 도입될 것으로 전망됩니다. 아무튼 메모리도 이제 10 nm 시대가 곧 도래할 것 같네요.
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