인텔과 마이크론은 기존의 낸드 플래시 메모리 대비 최대 1000배의 속도와 10배의 기록밀도를 지닌 새로운 차세대 비휘발성 메모리인 3D 크로스포인트(3D XPoint™ technology)를 공개한 바 있습니다. 아직 이 메모리를 사용한 제품은 공개되지 않았지만, 연말부터 샘플 출하가 가능할지 모른다는 게 이전 소식이었습니다.
인텔은 IDF 2015에서 3D 크로스포인트 기술이 적용된 새로운 옥탄 테크놀로지 SSD(‘Optane Technology’ SSD)를 공개했습니다. 이 새로운 SSD는 현재 인텔이 가진 PCIe 기반 기업용 SSD인 Intel P3700 SSD 대비
- 7.2 배 빠른 IOPS (low queue depth) 와 최고 5.21 배 높은 IOPS(high queue depths)를 지니고 있으며
- 기존의 SSD 대비 10배의 밀도
- 1,000배 빠른 속도
- 1,000배 높은 내구성
을 가졌다고 합니다. 발표 당일 IDF에서는 브라이언 크르자니크 인텔 CEO가 보는 앞에서 프로토타입 옥탄 SSD의 성능 데모가 있었는데 여기서 기존의 PCIe SSD 대비 최대 7배가 빠른 I/O 액세스 성능을 보여줬습니다. 일부에서는 이 새로운 비휘발성 메모리의 속도가 SSD와 DRAM의 중간 정도라고 보고 있습니다.
(3D 크로스포인트 메모리의 구조. 출처 : 인텔)
이 신기술은 ReRAM과는 다른 것이며 가장 최신의 신기술이라고 합니다. 옥탄 SSD는 1280억개의 메모리 셀(각 칩당 16GB)을 기반으로 제조되며 DRAM 등과 마찬가지로 적층이 가능합니다. 특히 수직으로 적층이 용이한 특징 때문에 기록 밀도 면에서 기존의 플래시보다 훨씬 밀도가 높아질 것이라고 합니다.
이와 같은 이야기에도 불구하고 역시 물건은 나와봐야 알 수 있습니다. 물론 인텔이 이렇게 자신감있게 공개한 점으로 봐서는 뭔가 있을 것 같다는 느낌이지만, 가격이라는 중요한 요소도 있는 만큼 초기 성공을 무조건 장담할 수는 없는 일입니다.
사실 상황이 이렇게되면 다른 메모리 제조사의 대응이 더 궁금해지는 상황입니다. 이 상황을 보고만 있지는 않을 것 같은데 과연 어떤 회심의 반격을 준비하고 있을지 궁금하네요. 일부에서는 삼성과 SK 하이닉스 역시 비슷한 기술을 가지고 있다는 주장도 있는데 머지 않아 진위 여부가 밝혀질 것 같습니다.
물론 이렇게 메모리 기술이 크게 진보한다면 적극 환영할 일이죠. 수 년 이내로 널리 보급되어 초고속 초고밀도 SSD의 시대가 오기를 기대합니다.
참고
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