48층 3세대 V낸드 양산을 발표한 삼성전자

(출처: 삼성 투머로우)

 삼성 전자가 3세대 3D V낸드의 양산 소식을 발표했습니다. 24층(layer)로 된 1세대 V낸드와 32층으로 된 2세대 V낸드에 이은 3세대 V낸드는 엄청난 고밀도를 이룩해 256Gb(32GB) 낸드 플래쉬 메모리를 양산할 수 있게 되었습니다. (48-layer 3-bit MLC V-NAND) 

 이는 셀이 형성되는 단층을 48단으로 올린 후 18억개의 원형 홀을 수직으로 뚫은 후 총 853억개 이상의 셀을 고속으로 동작시키는 것입니다. 한 셀당 최대 3개의 데이터(3비트)를 저장할 수 있어 총 2560억개의 데이터를 일고 쓰는 것이죠. (삼성 전자의 V낸드의 구조에 대해서는 이전 포스트 참조 : http://jjy0501.blogspot.kr/2014/05/2nd-generation-V-NAND.html ) 

 이전 세대 V낸드와 마찬가지로 3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조를 이용해 48층으로 적층시킨 덕분에 기록 밀도가 1.5배 정도 증가했습니다. 그리고 기존의 2세대 128Gb 낸드와 비교했을 때 같은 용량 대비 30%정도 전력을 덜 소모한다고 하네요. 

 아무튼 이런 고용량 낸드 플래쉬를 이용해서 더 고용량의 SSD를 만드는 일이 한결 쉬워질 것입니다. 삼성 전자는 이 새로운 낸드 플래쉬가 TB급 SSD의 보급을 앞당길 것으로 기대하고 있습니다. 

 사실 유저입장에서도 기대가 되는 일이죠. 128GB는 확실히 너무 작은 용량입니다. 이미 SSD가격이 많이 내려가기는 했지만 앞으로 더 많이 내려갈 필요가 있습니다. 

 참고 

http://global.samsungtomorrow.com/samsung-electronics-begins-mass-producing-industry-first-256-gigabit-3d-v-nand-flash-memory/