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삼성 전자 20 nm 급 DDR4 메모리 양산



(DDR4 메모리. Image Credit : 삼성 전자 )


 삼성 전자가 공식 블로그 및 보도자료를 통해서 20 나노급 DDR4 D램 모듈의 양산에 돌입했다고 발표했습니다. 덧붙여 이는 업계 최초입니다. 사실 삼성전자는 이미 DDR4 로드맵에 있어서도 가장 빠른 모습을 보였던 회사이기 때문에 업계 최초로 20 나노 급 DDR4 모듈을 양산한다고 해서 놀랍지는 않지만 "벌써 ?" 라는 생각이 드는 건 사실입니다. 아직 DDR4 의 수요가 미미한 시점인데 대규모 엔터프라이즈 서버 시장 공략을 위해 선제적으로 DDR4 를 시장에 공급한다는 것이 삼성 전자의 계획이라고 합니다. 


 사실 삼성 전자의 DDR4 제품 출시 자체는 이번이 처음이 아닙니다. 이전 삼성 전자의 DDR4 로드맵 공개시에서도 언급했듯이 ( http://jjy0501.blogspot.kr/2012/09/ddr4.html 참조) 실제 제품을 선보인 것이 2012 년입니다. (삼성 전자 세계 최초 16 GB DDR4 서버 모듈 출시 : http://samsungtomorrow.com/2873 내용 참조) 당시 선보인 DDR4 모듈은 30 nm 급 공정이었습니다. 


 이번에 새로 양산에 들어가는 것은 20 nm 급 공정의 16 GB 및 32 GB 급 모듈인데 삼성 전자에 의하면 같은 20 nm 급 DDR3 D램 보다 소비 전력을 30% 이상 감소시키면서도 1.25 정도 빠른 속도를 구현했다고 합니다. DDR4 규격은 DDR3 규격에 비해 더 낮은 전력 소모와 더 빠른 데이터 전송 능력을 지니고 있으므로 특히 대규모 램이 필요한 서버 영역에서 큰 이점이 있습니다. 오늘날 IDC 나 혹은 대규모 엔터프라이즈 및 연구용 서버와 컴퓨터를 가진 곳에서는 모두 전력 소모가 만만치 않기 때문에 같은 성능이라도 전력 소모를 줄이는 것은 친환경은 물론이고 비용 절감이라는 측면에서 매우 유리할 수 밖에 없습니다. 


 삼성 전자가 이번에 내놓은 DDR4 모듈은 모듈 당 16 GB/ 32 GB 라는 고용량을 실현해서 대규모 램이 필요한 영역에서 매우 요긴할 뿐 아니라 2667 Mb/s 로 속도도 매우 빨라 고성능, 필요 면적 및 시스템 축소, 저전력의 요건을 모두 만족시킨다고 하겠습니다. 물론 초기가격은 좀 비싸겠지만 결국 시간이 지나면 DDR3 에서 DDR4 의 전환은 거스를 수 없는 대세가 될 것 같습니다. 삼성 전자는 올해는 16 GB DDR4 모듈을 시장에 중점 보급하고 내년에는 32 GB 모듈을 중점 보급할 것이라고 하네요. 만약 32 GB 모듈 이라면 4개만 달아도 무려 128 GB 의 메모리를 확보할 수 있습니다.     


 DDR4 가 본격적으로 대중화 되기 위해서는 가장 널리 쓰이는 x86 기반 시스템에서 이를 지원하는 것이 중요한데 이 문제는 내년에 해결될 것으로 보입니다. 2015 년에는 아마도 16 GB 이상급의 대용량 DDR4 모듈을 일반 사용자들도 접할 기회가 있지 않을까 생각하네요. 



 참고


  

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