(The PCM technology developed by IBM could see smartphones that fire up in seconds(Credit: IBM Research))
상변화 메모리 (Phase Change Memory)는 낸드 플래쉬 메모리처럼 전원을 꺼도 데이터를 보존하지만, 기존의 플래쉬 메모리보다 매우 빠른 특징을 가지고 있어 이전부터 차세대 메모리로 크게 주목을 받았고 있습니다.
다만 실제 상업적인 대량 생산에는 여러 가지 어려움이 있어 실제 상변화 메모리를 탑재한 제품은 나오지 못하고 있습니다. 가장 큰 문제는 역시 비용입니다. 아무리 기존의 제품보다 성능이 우수하더라도 가격이 비싸다면 시장에서 성공하기 어렵기 때문입니다.
IBM 연구소(IBM Research)의 연구자들은 셀당 3bit (3 bits per cell)을 기록할 수 있는 새로운 상변화 메모리 어레이를 공개했습니다. 이 상변화 메모리는 64K cell에 불과하지만 100만번 기록이라는 기존의 낸드 플래쉬 메모리로는 불가능한 수준의 내구성을 보여줬습니다.
낸드 플래쉬 메모리의 가장 큰 단점 가운데 하나는 공정이 미세화될수록 점차 내구성이 떨어진다는 것입니다. 다시 말해 쓰기 가능한 횟수가 정해져 있는데, 공정이 미세화되면 그 횟수가 점차 줄어드는 것이죠. 이는 속도 문제와 더불어 낸드 플래쉬 메모리의 가장 큰 약점으로 지적되고 있습니다.
이번에 새로 공개된 3비트 상변화 메모리는 과거 셀 당 1 비트를 저장했던 상변화 메모리 대비 가격이 1/3 수준으로 감소해 이제 D램과 경쟁력을 갖출 수 있는 수준까지 떨어졌다고 합니다. 물론 아직 낸드 플래쉬 메모리보다 비싸긴하지만 새로운 돌파구가 열린 셈입니다. (셀당 3비트 저장이라고 하면 TLC 플래쉬 메모리를 연상하게 만들지만 상변화 메모리 자체가 내구성에서 낸드 플래쉬와 비교할 대상이 아니므로 큰 문제가 있다고 보기는 어려워보입니다.)
(동영상)
물론 아직도 상용화를 위한 단계는 많이 남아 있습니다. 앞으로 새로운 상변화 메모리가 등장해 가격과 성능 모두에서 기존의 플래쉬 기반 스토리지를 넘어서는 날이 올 것으로 기대해 봅니다.
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