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  ​ ​ ​ ​ Qwen3.8-27B-GSQ-RCO-GGUF IQ3_S 모델 사용기와 간략한 설명입니다. 최신 비균일 양자화(Non-uniform Quantization) 기법이 적용된 모델로 Gumbel-Softmax 양자화 (GSQ, Gumbel-Softmax Quantization) 및 리만 제약 최적화 (RCO, Riemannian Constrained Optimization)를 통해 BF16 모델과 비교해 용량을 1/5로 줄이면서도 지능을 최대한 유지한 모델입니다. 덕분에 16GB 그래픽 카드에 완전히 올릴 수 있어 비약적인 속도 향상을 기대할 수 있습니다. 자세한 내용은 영상에 있습니다. 그리고 영상 중 소개한 MTP에 대해서는 이전 영상 참조해 주시면 감사하겠습니다. ​ ​ ​ ​ ​

  ( Credit: Xinhua/China ) ​ ​ 곤충은 절지동물 가운데 특히 육상에서 가장 성공한 분류로 6개 (3쌍)의 다리와 머리, 가슴, 배로 이어지는 세 개의 체절 구조를 지닌 절지동물입니다. 하지만 6개의 다리는 사실 육지로 상륙한 후에 얻어진 특징으로 수중에 있었던 곤충류의 오랜 조상은 더 많은 다리를 가졌던 것으로 보입니다. ​ 중국과학원 남경고생물지질연구소(CAGS NIGPAS)의 차이 첸양(Cai Chenyang) 교수와 케임브리지 대학의 공동 박사과정생 에릭 티헬카(Erik Tihelka)을 포함한 중국,영국, 미국, 스페인의 국제 과학자팀은 3억 2400만 년 된 24개의 다리를 가진 곤충 Chosha praecursor를 저널 네이처에 발표했습니다. ​ 이 화석은 미국 텍사스 주 서부의 마라톤 업라이프트(Marathon Uplift)에 있는 테스너스 지층(Tesnus Formation)의 석회질 점토석 공결석에서 발견됐습니다. 초기에는 다른 갑각류와 관련된 수중 생물의 유생으로 잘못 분류됐는데, 갑각류처럼 보이는 분절된 복부 부속기관 때문입니다. 물론 다리도 24개에 달했기 때문에 곤충으로 여겨지지 않은 것도 있었을 것입니다. ​ 연구팀은 교차 편광 광학(cross-polarized light imaging)이라는 최신 기술을 사용하여 화석을 재분석했습니다. 이 기술은 반사광을 줄이고 미세한 구조를 더 잘 보이게 합니다. 그 결과 연구팀은 이 화석에서 곤충에 고유한 형태학적 특징인 3개의 분명한 흉절(thoracic segments), 3쌍의 보행 다리(6개 다리) 등을 발견했습니다. 여기에 난관(ovipositor)과 꼬리 실(caudal filament)이 확인되어 이 화석은 갑각류 유아가 아니라 성체 암컷 곤충임이 밝혀졌습니다. ​ C. praecursor는 3쌍의 흉부 다리에 9쌍의 복부 부속기관 다리를 지니고 있었습니다. 전자는 육지에서 보행하는 용도로 보이며 후자는 수중에서 헤엄치기 위한 것으로 반수생 곤...

  ( (a), (b), (c)로 표시된 세 개의 적층 구조를 보여주는 다이어그램으로, 녹색 'Si' 층과 노란색 'Si₀.₇Ge₀.₃' 층이 번갈아 쌓이고 맨 위에 파란색 'SiO₂ 하드마스크' 층이 덮여 있습니다. Liu, Enxu, Junjie Li, Na Zhou, Rui Chen, Hua Shao, Jianfeng Gao, Qingzhu Zhang, Zhenzhen Kong, Hongxiao Lin, Chenchen Zhang 등. 2023. "Gate-All-Around 트랜지스터 공정에서 15주기 Si0.7Ge0.3/Si 다층 구조의 선택적 건식 식각 효과에 대한 연구" Nanomaterials 13, no. 14:2127. https://doi.org/10.3390/nano13142127 ) ​ ​ 중국의 주요 반도체 제조 장비 공급업체인 나우라 테크놀로지 그룹(Naura Technology Group)은 3D DRAM 칩 제조를 위한 2단계 에칭 (ething, 식각) 공정을 개발했다고 밝혔습니다. 현재 CXMT나 YMTC 같은 중국 제조사들은 미국의 제재로 인한 EUV 장비 반입이 금지된 상태로 DUV 장치를 최대한 활용해서 기술적 돌파구를 마련하고 있습니다. 예를 들어 수직 채널 트랜지스터 (VCT)나 WoW 본딩 기술처럼 수평으로 더 작게 만들기 힘들면 수직을 높이 올리는 방식으로 기술적 돌파구를 마련하는 것입니다. 이 내용은 앞서 영상에서 소개했습니다. ​ (2:07 부터) ​ 나우라가 IEEE 저널에 발표한 논문은 여기더 나아가 64층 3D 램을 균일하게 식각하는 방법을 소개하고 있습니다. 미래 미세 공정 기술의 한계를 극복하기 위한 3D D램에 대한 연구도 활발한 상황인데, 이번 연구의 차별점은 64층 규모의 3D DRAM 스택에서 실리콘 게르마늄 (SiGe) 층을 균일하게 식각하는 데 성공해 기존 식각 공정의 핵심 한계를 해결한 것입니다. ​ 3D DRAM 설계에서는...