마이크론의 DRAM 개발 계획 - EUV와 10nm 급 DRAM

(출처: 마이크론/ASML)

 마이크론이 앞으로 DRAM 로드맵을 업데이트 했습니다. 최근 DRAM 가격이 다시 떨어지고 있지만, 결국 메모리 없이 IT 세상이 움직일 순 없는 것이고 시장 규모는 계속 커질 수밖에 없습니다. 이런 이유로 삼성과 SK 하이닉스는 대대적인 투자를 진행하고 있으며 마이크론 역시 시장에서 살아남기 위해 공격적인 투자를 멈출 수 없는 상태입니다. 마이크론은 10nm급 제조 공정 여러 개와 EUV 리소그래피를 통해 가까운 미래를 준비한다는 계획입니다. 

 타이완에 있는 마이크론의 메모리 공장 (Micron Memory Taiwan 과 Rexchip Semiconductor)은 이미 1세대 10nm 공정인 1X nm 급 DRAM을 생산하고 있으며 가까운 미래에 3세대 10nm 급 공정인 1Z nm 로 전환할 계획입니다. 동시에 일본 히로시마에 있는 공장에도 20억 달러를 투자해 13nm 공정 DRAM을 양산할 계획입니다. 

 1X nm 공정을 이용하면 2세대인 1Y nm 공정보다 더 밀도가 높은 16Gb LPDDR4 메모리를 양산할 수 있습니다. 이를 통해 64GB 서버용 메모리 모듈을 양산할 수 있을 것으로 보입니다. 1X nm는 2020년 이후 본격 양산될 것이고 DDR5 메모리 역시 이 공정으로 양산이 시작될 가능성이 큽니다. 이후에 마이크론은 DUV 멀티패터닝 방식으로 1αnm, 1βnm 공정으로 이동한 후 1𝛾 nm 에서 EUV 방식을 도입할 계획입니다. 

 EUV 공정은 ASML의 Twinscan NXE step-and-scan 시스템을 사용할 것으로 보이는데 기존의 DUV 리소그래피 대비 기기가 크기 때문에 SK 하이닉스처럼 새로운 팹을 건설해야 합니다. 팹 당 필요한 트윈스캔 시스템 숫자는 2-10개 정도입니다. 이 과정까지 진행하기 위해서는 2023년 정도까지 기다려야 할 것으로 보이며 그 전에는 DUV 공정을 계속해서 개량해서 수율과 성능을 높일 것으로 보입니다. 

 최근 메모리 가격 하락은 마이크론에게도 고통이겠지만, 그래도 슈퍼 사이클에 많은 돈을 벌어들인 건 이들도 마찬가지이고 앞으로 메모리가 필요 없을 순 없는 일이라 기다리면 시세는 다시 회복될 것입니다. 다만 10nm 이하에서 팹 건설에 막대한 비용이 들어간다는 점은 마이크론으로써도 부담일 것입니다.

 참고 

https://www.anandtech.com/show/14593/microns-dram-update-new-capacity-four-more-10nmclass-nodes-euv-64-gb-dimms