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2019년 3월 7일 목요일

eMRAM 양산에 들어간 삼성 전자 - 차세대 비휘발성 메모리의 승자될까?





(출처: 삼성전자)


 삼성전자가 첫 번째 embedded Magnetic Random Access Memory (eMRAM)의 양산을 시작했다고 발표했습니다. eMRAM은 차세대 비휘발성 메모리 가운데 하나로 DRAM과 같은 빠른 속도와 낸드 플래시 메모리 같은 데이터 저장 능력을 지니고 있습니다. 다만 초기 제품의 경우 기록 밀도와 가격에서 낸드 플래시 메모리 보다 떨어지기 때문에 초기에는 제한적 용도로 사용될 것으로 보입니다. 


 이 eMRAM은 28FDS (28nm FD-SOI) 공정으로 제조한 것으로 아직 구체적인 스펙에 대해서는 알려진 것이 없습니다. 다만 이론적으로 기존의 낸드 플래시 메모리 대비 1000배는 더 빠를 수 있습니다. eMRAM은 삼성이  Magnetic Tunnel Junction(MTJ)이라고 부르는 방법으로 얇은 막 사이에 두 개의 ferromagnetic 필름을 붙여서 구현합니다. 낸드 플래시처럼 기록을 위해 새로 지우고 쓰는 과정이 필요 없어 반응이 매우 빠르며 쓰기 횟수에 제한이 없습니다. 


 다만 새로운 기술을 적용한 제품인 만큼 이미 오랜 세월 가격을 낮추고 기록 밀도를 높이기 위해 온갖 방법이 적용된 낸드 플래시 메모리 대비 가격이 비쌀 수밖에 없습니다. 초기 제품은 1Gb로 용량도 크지 않아서 사물 인터넷이나 컨트롤러 등 제한된 영역에서 사용될 것이며 인텔 옵테인처럼 SSD 형태로 등장하는 것은 다소 미래의 일이 될 것입니다. 


 삼성 전자는 18nm 공정의 18FDS 생산을 준비하고 있으며 FinFET 적용으로 성능을 더 끌어올릴 계획입니다. 아직 우리가 시장에서 보기는 어렵겠지만, 이미 한계에 도달한 낸드 플래시 메모리 기술을 생각하면 결국 미래는 차세대 비휘발성 메모리가 될 것으로 예측합니다. 


 참고 


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